IPD60R360PFD7S
Symbol Micros:
TIPD60r360pfd7s
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 715mOhm; 10A; 43W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R360PFD7SAUMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 715mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 715mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 10A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |