IPD70R360P7S

Symbol Micros: TIPD70r360p7s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 360mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12,5A
Maksymalna tracona moc: 59,5W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 700V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Producent: Infineon Symbol producenta: IPD70R360P7SAUMA1 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,7600 1,7400 1,3600 1,2400 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 360mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12,5A
Maksymalna tracona moc: 59,5W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 700V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: SMD