IDP78CN10NG TO252-3
Symbol Micros:
TIPD78cn10n
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 13A; 31W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD78CN10NGATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 13A |
Maksymalna tracona moc: | 31W |
Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 13A |
Maksymalna tracona moc: | 31W |
Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |