IPD80R2K4P7ATMA1

Symbol Micros: TIPD80r2k4p7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,4Ohm; 2,5A; 22W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 22W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 2,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 22W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C