IPD80R3K3P7
Symbol Micros:
TIPD80r3k3p7
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3,3Ohm; 1,9A; 18W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IPD80R3K3P7ATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 18W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 18W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |