IPG20N06S2L35ATMA1

Symbol Micros: TIPG20n06s2l35
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TDSON-8
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 65W
Obudowa: TDSON-8
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 65W
Obudowa: TDSON-8
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD