IPG20N06S2L65ATMA1
Symbol Micros:
TIPG20n06s2l65
Obudowa: TDSON-8
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 25V; 65mOhm; 20A; 43W; -55°C~175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TDSON-8 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 65mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 43W |
| Obudowa: | TDSON-8 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |