IPI120N04S401AKSA1

Symbol Micros: TIPI120n04s401
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO262
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C~175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 88A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO262
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: Infineon Symbol producenta: IPI120N04S401AKSA1 Obudowa dokładna: TO262  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3535
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 88A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO262
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT