IPN50R2K0CEATMA1

Symbol Micros: TIPN50r2k0ce
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 2Ohm; 3,6A; 5W; -40°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,6A
Maksymalna tracona moc: 5W
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,6A
Maksymalna tracona moc: 5W
Obudowa: SOT223
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: SMD