IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TIPN60r3k4ce
Obudowa: SOT223
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,4kOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOT223-3 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,4kOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOT223-3 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |