IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TIPN60r3k4ce
Obudowa: SOT223
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,4kOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOT223-3 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPN60R3K4CE RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3800 | 0,7580 | 0,5960 | 0,5520 | 0,5290 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPN60R3K4CEATMA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnętrzny:
225000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5290 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,4kOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 5W |
| Obudowa: | SOT223-3 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |