IPN60R600P7S
Symbol Micros:
TIPN60r600p7s
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,145Ohm; 6A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R600P7SATMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,145mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 7W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPN60R600P7SATMA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8300 | 3,2100 | 2,6600 | 2,4000 | 2,3000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPN60R600PFD7SATMA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,145mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 7W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |