IPP032N06N3G
Symbol Micros:
TIPP032n06n3g
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP032N06N3GXKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 188W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 188W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |