IPP034NE7N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPP034ne7n3g
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP034NE7N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,2200 | 6,9000 | 6,1300 | 5,6600 | 5,4800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP034NE7N3GXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |