IPP034NE7N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPP034ne7n3g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
N-MOSFET 100A 75V
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 214W
Obudowa: TO220
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IPP034NE7N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
3159 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9891
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 214W
Obudowa: TO220
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT