IPP045N10N3G
Symbol Micros:
TIPP045n10n3g
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP045N10N3GXKSA1; IPP045N10N3GHKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP045N10N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2900 | 5,4100 | 4,5000 | 4,3500 | 4,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP045N10N3GXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4410 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 100A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |