IPP50R190CEXKSA1 INFINEON

Symbol Micros: TIPP50r190ce
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18,5A
Maksymalna tracona moc: 127W
Obudowa: TO220
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IPP50R190CEXKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8400 5,2200 4,3200 3,7900 3,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18,5A
Maksymalna tracona moc: 127W
Obudowa: TO220
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT