IPP50R190CEXKSA1 INFINEON
Symbol Micros:
TIPP50r190ce
Obudowa: TO220
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 127W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP50R190CEXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,8400 | 5,2200 | 4,3200 | 3,7900 | 3,6000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP50R190CEXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3516 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 18,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 127W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |