IPP50R199CPXKSA1
Symbol Micros:
TIPP50r199cp
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 20V; 199mOhm; 17A; 139W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 199mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 139W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP50R199CPXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,2561 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 199mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 139W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 550V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |