IPP60R125CP
Symbol Micros:
TIPP60r125cp
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 300mOhm; 25A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP60R125CPXKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 25A |
| Maksymalna tracona moc: | 208W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R125CPXKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
473 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,2700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 25A |
| Maksymalna tracona moc: | 208W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |