IPP60R190P6XKSA1
Symbol Micros:
TIPP60r190p6
Obudowa: TO220
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 151W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R190P6XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4800 | 5,1700 | 4,4200 | 3,9700 | 3,8100 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPP60R190P6XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
510 szt.
| ilość szt. | 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0804 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 151W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |