IPS70R1K4P7SAKMA1

Symbol Micros: TIPS70r1k4p7s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 16V; 1,4Ohm; 4A; 22,7W; -55°C~150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 22,7W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 700V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: Infineon Symbol producenta: IPS70R1K4P7SAKMA1 Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
1558 szt.
ilość szt. 900+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,6026
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 22,7W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 700V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT