IPT004N03LATMA1
Symbol Micros:
TIPT004n03l
Obudowa: HSOF8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 0,4mOhm; 300A; 3,8W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 0,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,8W |
| Obudowa: | HSOF8 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPT004N03LATMA1
Obudowa dokładna: HSOF8
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,0673 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 0,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,8W |
| Obudowa: | HSOF8 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |