IPT015N10N5ATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TIPT015n10n5
Obudowa: HSOF8
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 2mOhm; 300A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Maksymalny prąd drenu: | 300A |
| Obudowa: | HSOF8 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPT015N10N5ATMA1
Obudowa dokładna: HSOF8
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,6404 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPT015N10N5ATMA1
Obudowa dokładna: HSOF8
Magazyn zewnętrzny:
28000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,6243 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPT015N10N5ATMA1
Obudowa dokładna: HSOF8
Magazyn zewnętrzny:
322000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,2391 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Maksymalny prąd drenu: | 300A |
| Obudowa: | HSOF8 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |