IPT111N20NFDATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TIPT111n20nfd
Obudowa: HSOF8
Trans MOSFET N-CH 200V 96A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 96A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | HSOF8 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 96A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | HSOF8 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |