IPW60R060C7XKSA1
Symbol Micros:
TIPW60r060c7
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60mOhm; 35A; 162W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 162W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW60R060C7XKSA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
185 szt.
| ilość szt. | 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,4248 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 162W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |