IPW65R190C7XKSA1
Symbol Micros:
TIPW65r190c7
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 190mOhm; 13A; 72W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 72W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPW65R190C7XKSA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
240 szt.
| ilość szt. | 60+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,7657 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 72W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |