IPZ40N04S58R4ATMA1

Symbol Micros: TIPZ40n04s58r4
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSDSON08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8,4mOhm; 40A; 34W; -55°C~175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 34W
Obudowa: TSDSON08
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: Infineon Symbol producenta: IPZ40N04S58R4ATMA1 Obudowa dokładna: TSDSON08  
Magazyn zewnetrzny:
27500 szt.
ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0354
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 34W
Obudowa: TSDSON08
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD