IQDH88N06LM5SC

Symbol Micros: TIQDH88N06LM5SC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: WHSON8
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,24mOhm; 447A; 333W; -55°C ~ 175°C; IQDH88N06LM5SCATMA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,24mOhm
Maksymalny prąd drenu: 447A
Maksymalna tracona moc: 333W
Obudowa: WHSON8
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 1,24mOhm
Maksymalny prąd drenu: 447A
Maksymalna tracona moc: 333W
Obudowa: WHSON8
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD