IRF1010ES smd
 Symbol Micros:
 
 TIRF1010es 
 
  
 
 
 
 
 Obudowa: TO263 (D2PAK)
 
 
 
 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF 
 
 
 
 Parametry 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm | 
| Maksymalny prąd drenu: | 84A | 
| Maksymalna tracona moc: | 200W | 
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) | 
| Producent: | International Rectifier | 
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V | 
| Typ tranzystora: | N-MOSFET | 
 
 
 Producent: International Rectifier
 
 
 Symbol producenta: IRF1010ESTRPBF RoHS
 
 
 Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
 
 
 
 	
 		
 	
 	 
 
 karta katalogowa 
 
 
 
 
 
 Stan magazynowy:
 
 
 50 szt.
 
 
 | ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,4400 | 5,1400 | 4,4000 | 3,9500 | 3,7900 | 
 
 
 Producent: Infineon
 
 
 Symbol producenta: IRF1010ESTRLPBF
 
 
 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
 
 
 
  
 
 
 
 
 
 Magazyn zewnetrzny:
 
 
 800 szt.
 
 
 | ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) | 
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7900 | 
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm | 
| Maksymalny prąd drenu: | 84A | 
| Maksymalna tracona moc: | 200W | 
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) | 
| Producent: | International Rectifier | 
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V | 
| Typ tranzystora: | N-MOSFET | 
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V | 
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C | 
| Montaż: | SMD | 
 
                        