IRF1010NS
Symbol Micros:
TIRF1010ns
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010NSTRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 85A |
Maksymalna tracona moc: | 180W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF1010NS RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
Stan magazynowy:
27 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,3800 | 6,6800 | 5,7200 | 5,1400 | 4,9300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
2400 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
9600 szt.
ilość szt. | 275+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1010NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
380 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9300 |
Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 85A |
Maksymalna tracona moc: | 180W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |