IRF1010NS

Symbol Micros: TIRF1010ns
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010NSTRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 85A
Maksymalna tracona moc: 180W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1010NS RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)  
Stan magazynowy:
27 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,3800 6,6800 5,7200 5,1400 4,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1010NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
2400 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1010NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
9600 szt.
ilość szt. 275+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1010NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
380 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 85A
Maksymalna tracona moc: 180W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD