IRF1018EPBF

Name: TIRF1018e TIRF1018e
Brand: International Rectifier
SKU: TIRF1018e
Price: 1.550000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF1018e

Obudowa: TO220

Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; IRF1018E;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu:	79A
Maksymalna tracona moc:	110W
Obudowa:	TO220
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1018EPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa

Stan magazynowy:

110 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	3,5700	2,2600	1,7800	1,6200	1,5500

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1018EPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa

Stan magazynowy:

20 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	3,5700	2,2600	1,7800	1,6200	1,5500

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

870 szt.

ilość szt.	10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,7016

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1018EPBF Obudowa dokładna: TO220

Magazyn zewnetrzny:

5900 szt.

ilość szt.	400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,5500

Rezystancja otwartego kanału:	8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu:	79A
Maksymalna tracona moc:	110W
Obudowa:	TO220
Producent:	International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło:	60V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	THT