IRF1018EPBF
Symbol Micros:
TIRF1018e
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; IRF1018E;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF1018EPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; SP001574502;
Producent:
MOSLEADER
Symbol producenta:
IRF1018EPBF-ML RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,3600 | 2,1300 | 1,6800 | 1,5300 | 1,4600 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)