IRF1324
Symbol Micros:
TIRF1324
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF; Discontinued IRF1324PBF; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 353A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 24V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF1324 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 50+ | 250+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4800 | 6,2800 | 5,4900 | 5,2200 | 4,9900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1324PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
231 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 353A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 24V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |