IRF1404

Symbol Micros: TIRF1404
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 202A
Maksymalna tracona moc: 333W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1404PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
770 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 4,2040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1404PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2442 szt.
ilość szt. 300+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,1269
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-10-02
Ilość szt.: 550
Rezystancja otwartego kanału: 4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 202A
Maksymalna tracona moc: 333W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT