IRF1404

Symbol Micros: TIRF1404
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 202A
Maksymalna tracona moc: 333W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1404 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,1800 3,0300 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/400
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1404PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
550 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6664
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1404PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
6095 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 202A
Maksymalna tracona moc: 333W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT