IRF1404S
Symbol Micros:
TIRF1404s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404SPBF; IRF1404STRLPBF; IRF1404STRRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 162A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF1404STRLPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
26 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6300 | 5,6600 | 4,9500 | 4,6000 | 4,4900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1404STRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
1350 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 162A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |