IRF1404ZPBF

Symbol Micros: TIRF1404z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 190A; 220W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404ZPBF; IRF1404ZGPBF; IRF1404ZLPBF; IRF1404Z;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 190A
Maksymalna tracona moc: 220W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1404Z RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,3800 5,0800 4,3500 3,9100 3,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1404ZPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
6950 szt.
ilość szt. 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 3,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1404ZPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
160 szt.
ilość szt. 10+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 3,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 190A
Maksymalna tracona moc: 220W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT