IRF1404ZS Infineon

Symbol Micros: TIRF1404zs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 180A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: D2PAK
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1404ZS RoHS Obudowa dokładna: D2PAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
88 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,4900 8,3200 7,5200 7,1200 6,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 3,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: D2PAK
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD