IRF1405

Symbol Micros: TIRF1405
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1405PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 169A
Maksymalna tracona moc: 330W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF1405 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
130 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,3000 3,7100 2,9700 2,8800 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1405PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1405PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
237050 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF1405PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
22760 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 5,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 169A
Maksymalna tracona moc: 330W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT