IRF1405
Symbol Micros:
TIRF1405
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1405PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5,3mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 169A |
Maksymalna tracona moc: | 330W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF1405 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,7600 | 4,3900 | 3,6400 | 3,1900 | 3,0300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1405PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
28345 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,0300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF1405PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2710 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,0949 |
Rezystancja otwartego kanału: | 5,3mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 169A |
Maksymalna tracona moc: | 330W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |