IRF2804
Symbol Micros:
TIRF2804
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF2804PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2,3mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 270A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF2804 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
27 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 27+ | 81+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 10,0600 | 8,1700 | 7,0800 | 6,5900 | 6,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF2804PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
620 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF2804PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
2639 szt.
ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,2900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2,3mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 270A |
Maksymalna tracona moc: | 300W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |