IRF3205ZPBF
Symbol Micros:
TIRF3205z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205ZPBF; IRF3205Z;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 110A |
Maksymalna tracona moc: | 170W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF3205Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
130 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,0400 | 4,2300 | 3,3900 | 3,2200 | 3,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3205ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3699 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3205ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
700 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,1800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 110A |
Maksymalna tracona moc: | 170W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |