IRF3205ZPBF
Symbol Micros:
TIRF3205z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205ZPBF; IRF3205Z;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 110A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF3205Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
130 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4900 | 4,1900 | 3,4700 | 3,0400 | 2,8900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3205ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
830 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3205ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1177 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 110A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |