IRF3415
Symbol Micros:
TIRF3415
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3415PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 42mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 43A |
Maksymalna tracona moc: | 200W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3415 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,7800 | 5,4100 | 4,6300 | 4,1600 | 3,9900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 42mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 43A |
Maksymalna tracona moc: | 200W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |