IRF3703
Symbol Micros:
TIRF3703
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 210A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3703PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF3703 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,1200 | 7,4700 | 6,5100 | 5,9200 | 5,7000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3703PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
140 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,7000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,9mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210A |
| Maksymalna tracona moc: | 230W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |