IRF3708

Symbol Micros: TIRF3708
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 29mOhm; 62A; 87W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3708PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 29mOhm
Maksymalny prąd drenu: 62A
Maksymalna tracona moc: 87W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRF3708 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,8500 3,3900 2,8300 2,6400 2,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 29mOhm
Maksymalny prąd drenu: 62A
Maksymalna tracona moc: 87W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT