IRF3710PBF-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TIRF3710 CNB
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 8,8mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 100A |
Maksymalna tracona moc: | 200W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | CHIPNOBO |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 8,8mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 100A |
Maksymalna tracona moc: | 200W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | CHIPNOBO |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |