IRF3710Z
Symbol Micros:
TIRF3710z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710ZPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 59A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF3710Z RoHS IRF3710ZPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,5300 | 2,8300 | 2,4300 | 2,2900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1180 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3828 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF3710ZPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
6474 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 59A |
| Maksymalna tracona moc: | 160W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |