IRF3711
Symbol Micros:
TIRF3711
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3711PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 110A |
| Maksymalna tracona moc: | 120W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 110A |
| Maksymalna tracona moc: | 120W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRF3711PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9,5mOhm; 100A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3711PBF; SP001561720;
Producent:
MOSLEADER
Symbol producenta:
IRF3711PBF-ML RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
50 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 6,3300 | 4,8300 | 4,0000 | 3,5000 | 3,3300 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)