IRF4905STRLPBF

Symbol Micros: TIRF4905s

Obudowa: TO263 (D2PAK)

Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905STRLPBF; IRF4905SPBF-GURT; IRF4905STRRPBF; IRF4905S smd;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	20mOhm
Maksymalny prąd drenu:	70A
Maksymalna tracona moc:	170W
Obudowa:	TO263 (D2PAK)
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	P-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)

Stan magazynowy:

2400 szt.

ilość szt.	1+	3+	10+	30+	100+
cena netto (PLN)	7,2800	5,7700	4,9100	4,5100	4,2800

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)

Stan magazynowy:

850 szt.

ilość szt.	1+	3+	10+	30+	100+
cena netto (PLN)	7,2800	5,7700	4,9100	4,5100	4,2800

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)

Magazyn zewnetrzny:

7870 szt.

ilość szt.	10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	5,3613

Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)

Magazyn zewnetrzny:

45600 szt.

ilość szt.	800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	4,2800

Rezystancja otwartego kanału:	20mOhm
Maksymalny prąd drenu:	70A
Maksymalna tracona moc:	170W
Obudowa:	TO263 (D2PAK)
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	1+	5+	20+	100+	500+
cena netto (PLN)	4,2400	2,8200	2,3400	2,1100	2,0200

Ilość szt.	1+	3+	10+	50+	200+
cena netto (PLN)	4,9200	3,7600	3,1100	2,7200	2,5900

Ilość szt.	1+	5+	20+	100+	500+
cena netto (PLN)	3,9700	2,6400	2,1800	1,9700	1,8900