IRF4905STRLPBF

Symbol Micros: TIRF4905s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905STRLPBF; IRF4905SPBF-GURT; IRF4905STRRPBF; IRF4905S smd;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 70A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)  
Stan magazynowy:
2107 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,5500 5,1900 4,4200 4,0500 3,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Stan magazynowy:
4000 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,5500 5,1900 4,4200 4,0500 3,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800/4000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)  
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,5500 5,1900 4,4200 4,0500 3,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Rezystancja otwartego kanału: 20mOhm
Maksymalny prąd drenu: 70A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD