IRF5210STRLPBF

Symbol Micros: TIRF5210s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5210STRLPBF; IRF5210SPBF; IRF5210STRRPBF; IRF5210SPBF-GURT; IRF5210S SMD;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 38A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5210STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 10,9100 9,1000 8,0600 7,5600 7,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
27200 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
7350 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 38A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD