IRF5210STRLPBF

Symbol Micros: TIRF5210s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5210STRLPBF; IRF5210SPBF; IRF5210STRRPBF; IRF5210SPBF-GURT; IRF5210S SMD;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 38A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
4190 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0102
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
82400 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7653
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
124800 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9857
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-29
Ilość szt.: 800
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 38A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD