IRF530NS
Symbol Micros:
TIRF530 ns
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF530NS RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 2+ | 5+ | 15+ | 45+ |
|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,5200 | 2,5100 | 1,8600 | 1,5300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4243 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
3520 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0621 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
39200 szt.
| ilość szt. | 800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5915 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NSTRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
43200 szt.
| ilość szt. | 800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5284 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |