IRF530S
Symbol Micros:
TIRF530 s
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160mOhm; 14A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530SPBF; IRF530STRLPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 88W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF530S RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy:
190 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6300 | 2,3000 | 1,8200 | 1,6500 | 1,5800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF530SPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
250 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 160mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 88W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |