IRF530N
Symbol Micros:
TIRF530n
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NPBF; IRF 530 N PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF530N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,5600 | 1,2300 | 1,1200 | 1,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530N RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4800 | 1,5600 | 1,2300 | 1,1200 | 1,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
18900 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
9950 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3101 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
137550 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRF530NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
29789 szt.
| ilość szt. | 600+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0800 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-07-27
Ilość szt.: 700
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 79W |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |