IRF540
Symbol Micros:
TIRF540
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP30NF10 IRF540PBF
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 77mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 28A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRF540PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2000 | 3,0800 | 2,4700 | 2,1200 | 2,0000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF 540 PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
28 szt.
| ilość szt. | 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7090 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRF540PBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
3400 szt.
| ilość szt. | 25+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9144 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-12-30
Ilość szt.: 200
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-12-30
Ilość szt.: 300
| Rezystancja otwartego kanału: | 77mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 28A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |