IRFI540 iso     INFINEON

Symbol Micros: TIRF540 iso
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540NPBF; IRFI540;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 52mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 54W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFI540N RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
13 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 7,4500 5,5100 4,8200 4,5800 4,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/300
Rezystancja otwartego kanału: 52mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 54W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT